TCAD simulation of the Single Event Effects in normally-off GaN transistors after heavy ion radiation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

TCAD simulation of the Single Event Effects in normally-off GaN transistors after heavy ion radiation

Résumé

Electrical behavior of normally-off GaN power transistors under heavy ion stress radiation is presented based on 2D-TCAD numerical simulation in order to better understand the mechanism of Single Event Effects (SEE) in these devices.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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Dates et versions

hal-01692046 , version 2 (04-07-2017)
hal-01692046 , version 1 (24-01-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01692046 , version 1
  • OATAO : 19464

Citer

Moustafa Zerarka, Patrick Austin, Alain Bensoussan, Frédéric Morancho, André Durier. TCAD simulation of the Single Event Effects in normally-off GaN transistors after heavy ion radiation. RADECS 2016, Sep 2016, Bremen, Germany. pp. 2242-2249. ⟨hal-01692046v1⟩
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