Dependence of the photovoltaic performance of pseudomorphic InGaN/GaN multiple-quantum-well solar cells on the active region thickness - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2016

Dependence of the photovoltaic performance of pseudomorphic InGaN/GaN multiple-quantum-well solar cells on the active region thickness

Anna Mukhtarova
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
Sirona Valdueza-Felip
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
Luca Redaelli
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
Christophe Durand
Nanophysique et Semiconducteurs
CV
Catherine Bougerol
Nanophysique et Semiconducteurs
Eva Monroy
Nanophysique et Semiconducteurs
Joël Eymery
Nanostructures et Rayonnement Synchrotron

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Catherine Bougerol  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01677519

Soumis le : lundi 8 janvier 2018-14:11:45

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hal-01677519 , version 1 (08-01-2018)

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Citer

Anna Mukhtarova, Sirona Valdueza-Felip, Luca Redaelli, Christophe Durand, Catherine Bougerol, et al.. Dependence of the photovoltaic performance of pseudomorphic InGaN/GaN multiple-quantum-well solar cells on the active region thickness. Applied Physics Letters, 2016, 108 (16), pp.161907. ⟨10.1063/1.4947445⟩. ⟨hal-01677519⟩

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