Chemical composition fluctuations and strain relaxation in InGaN nanowires: The role of the metal/nitrogen flux ratio - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2016

Chemical composition fluctuations and strain relaxation in InGaN nanowires: The role of the metal/nitrogen flux ratio

Xin Zhang
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  • IdRef : 182683214
Matthias Belloeil
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 785278
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Catherine Bougerol
Bruno Gayral
Bruno Daudin
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Dates et versions

hal-01677509 , version 1 (08-01-2018)

Identifiants

Citer

Xin Zhang, Matthias Belloeil, Pierre-Henri Jouneau, Catherine Bougerol, Bruno Gayral, et al.. Chemical composition fluctuations and strain relaxation in InGaN nanowires: The role of the metal/nitrogen flux ratio. Materials Science in Semiconductor Processing, 2016, 55, pp.79 - 84. ⟨10.1016/j.mssp.2016.03.006⟩. ⟨hal-01677509⟩
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