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Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Identification de pièges dans le buffer des HEMTs AlGaN/GaN basée sur des mesures de paramètres S basse fréquence et sur des simulations physiques

Julien Couvidat
Ahmad Al Hajjar
  • Fonction : Auteur
Raphaël Sommet
Raymond Quéré

Résumé

— Dans ce papier, la détermination du type, de l'énergie d'activation (E a) et de la section de capture (σ n) des pièges de buffer des transistors HEMTs AlGaN/GaN est présentée. Les caractéristiques des pièges, extraites à partir de mesures de paramètres S basse fréquence, sont validées par des simulations physiques à deux dimensions. En outre, cette étude conclut sur la présence de pièges de buffer GaN de type accepteurs, ayant une concentration de 5.0×10 16 cm −3 et un niveau d'énergie d'activation de 0.4 eV en dessous de la bande de conduction du GaN.

Domaines

Electronique
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Dates et versions

hal-01661791 , version 1 (12-12-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01661791 , version 1

Citer

Julien Couvidat, Nandha Kumar Subramani, Ahmad Al Hajjar, Jean-Christophe Nallatamby, Raphaël Sommet, et al.. Identification de pièges dans le buffer des HEMTs AlGaN/GaN basée sur des mesures de paramètres S basse fréquence et sur des simulations physiques. 20èmes Journées Nationales Microondes, May 2017, Saint-Malo, France. ⟨hal-01661791⟩
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