Identification de pièges dans le buffer des HEMTs AlGaN/GaN basée sur des mesures de paramètres S basse fréquence et sur des simulations physiques
Résumé
— Dans ce papier, la détermination du type, de l'énergie d'activation (E a) et de la section de capture (σ n) des pièges de buffer des transistors HEMTs AlGaN/GaN est présentée. Les caractéristiques des pièges, extraites à partir de mesures de paramètres S basse fréquence, sont validées par des simulations physiques à deux dimensions. En outre, cette étude conclut sur la présence de pièges de buffer GaN de type accepteurs, ayant une concentration de 5.0×10 16 cm −3 et un niveau d'énergie d'activation de 0.4 eV en dessous de la bande de conduction du GaN.
Domaines
Electronique
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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