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Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Caractérisation et modélisation non-linéaire du HEMT AlN/GaN sur substrat silicium et validation par mesure Load-Pull

Ahmad Al Hajjar
  • Fonction : Auteur
Julien Couvidat
  • Fonction : Auteur
Raymond Quéré

Résumé

– Cet article décrit la caractérisation et la modélisation grand-signal d'un transistor HEMT AlN/GaN sur substrat silicium de développement 2x50 µm avec une longueur de grille ultra courte du laboratoire IEMN de Lille. Ce composant a été optimisé pour la conception de circuits analogiques haute fréquence. Les différentes étapes de caractérisation et de modélisation sont présentées ainsi que la validation du modèle grand-signal en comparant les résultats de simulations avec des mesures Load-Pull. Le modèle employé prend en compte les effets de pièges, il est validé par comparaison avec des mesures qui mettent en évidence leurs effets.

Domaines

Electronique
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Dates et versions

hal-01661775 , version 1 (12-12-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01661775 , version 1

Citer

Ahmad Al Hajjar, Julien Couvidat, Jean-Christophe Nallatamby, Raymond Quéré, F Medjdoub. Caractérisation et modélisation non-linéaire du HEMT AlN/GaN sur substrat silicium et validation par mesure Load-Pull. 20èmes Journées Nationales Microondes, May 2017, Saint-Malo, France. ⟨hal-01661775⟩
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