Communication Dans Un Congrès
Année : 2017
Geoffrey Avit : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://uca.hal.science/hal-01659756
Soumis le : vendredi 8 décembre 2017-17:27:07
Dernière modification le : samedi 22 avril 2023-04:24:22
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01659756 , version 1
Citer
Geoffrey Avit, Mohammed Zeghouane, Yamina Andre, Elissa Roche, Evelyne Gil, et al.. Croissance sélective de GaN par épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures (HVPE)
. Session plénière GDR PULSE, Oct 2017, Paris, France. ⟨hal-01659756⟩
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