Croissance sélective de GaN par épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures (HVPE) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Croissance sélective de GaN par épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures (HVPE)

Geoffrey Avit
Mohammed Zeghouane
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1024783
Yamina Andre
Elissa Roche
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1024742
Evelyne Gil
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01659756 , version 1 (08-12-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01659756 , version 1

Citer

Geoffrey Avit, Mohammed Zeghouane, Yamina Andre, Elissa Roche, Evelyne Gil, et al.. Croissance sélective de GaN par épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures (HVPE) . Session plénière GDR PULSE, Oct 2017, Paris, France. ⟨hal-01659756⟩
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