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Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Processus de mesure de la température de jonction de transistors en technologie GaN

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01654497 , version 1 (04-12-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01654497 , version 1

Citer

B. Boudart. Processus de mesure de la température de jonction de transistors en technologie GaN. Conférence sur la Fiabilité des Composants et Systèmes Électroniques Hyperfréquences, Salon RF&Microwaves, 2015, Paris, France. ⟨hal-01654497⟩
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