Conference Papers
Year : 2015
Bertrand BOUDART : Connect in order to contact the contributor
https://hal.science/hal-01654497
Submitted on : Monday, December 4, 2017-9:30:53 AM
Last modification on : Wednesday, March 9, 2022-2:14:03 PM
Dates and versions
Identifiers
- HAL Id : hal-01654497 , version 1
Cite
B. Boudart. Processus de mesure de la température de jonction de transistors en technologie GaN. Conférence sur la Fiabilité des Composants et Systèmes Électroniques Hyperfréquences, Salon RF&Microwaves, 2015, Paris, France. ⟨hal-01654497⟩
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