Communication Dans Un Congrès
Année : 2015
Bertrand BOUDART : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01654497
Soumis le : lundi 4 décembre 2017-09:30:53
Dernière modification le : mercredi 9 mars 2022-14:14:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01654497 , version 1
Citer
B. Boudart. Processus de mesure de la température de jonction de transistors en technologie GaN. Conférence sur la Fiabilité des Composants et Systèmes Électroniques Hyperfréquences, Salon RF&Microwaves, 2015, Paris, France. ⟨hal-01654497⟩
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