Evolution des performances électriques des transistors des filières GaN sous l’effet d’irradiation - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Evolution des performances électriques des transistors des filières GaN sous l’effet d’irradiation

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01654495

Soumis le : lundi 4 décembre 2017-09:28:57

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Dates et versions

hal-01654495 , version 1 (04-12-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01654495 , version 1

Citer

Fanny Berthet, Yannick Guhel, B. Boudart, Jean Lionel Trolet, M. Piccione, et al.. Evolution des performances électriques des transistors des filières GaN sous l’effet d’irradiation. Rencontres Jeunes Chercheurs, 2010, Annecy, France. ⟨hal-01654495⟩

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