Etude du contact ohmique Ti/Al/Ni/Au sur n-GaN pour applications hyperfréquences et haute température de TECs de puissance - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 1999

Etude du contact ohmique Ti/Al/Ni/Au sur n-GaN pour applications hyperfréquences et haute température de TECs de puissance

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Soumis le : lundi 4 décembre 2017-09:02:28

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Identifiants

  • HAL Id : hal-01654466 , version 1

Citer

B. Boudart, S. Trassaert, Xavier Wallart, J.C. Pesant, L Fugère, et al.. Etude du contact ohmique Ti/Al/Ni/Au sur n-GaN pour applications hyperfréquences et haute température de TECs de puissance. 7es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1999, Egat, France. ⟨hal-01654466⟩

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