Utilisation du GaAs épitaxié à basse température pour augmenter la densité de puissance des TECs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1997

Utilisation du GaAs épitaxié à basse température pour augmenter la densité de puissance des TECs

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01654456 , version 1 (04-12-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01654456 , version 1

Citer

Didier Theron, B. Boudart, Y. Druelle, Georges Salmer, M. Lipka, et al.. Utilisation du GaAs épitaxié à basse température pour augmenter la densité de puissance des TECs. 6es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1997, Chantilly, France. ⟨hal-01654456⟩
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