Etude des effets du rayonnement gamma sur les transistors bipolaires à grille isolée en technologie punch-through - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Etude des effets du rayonnement gamma sur les transistors bipolaires à grille isolée en technologie punch-through

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01654264

Soumis le : dimanche 3 décembre 2017-16:02:58

Dernière modification le : mercredi 9 mars 2022-14:14:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01654264 , version 1 (03-12-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01654264 , version 1

Citer

Boubekeur Tala-Ighil, Amrane Oukaour, B. Boudart, Hamid Gualous, Jean Lionel Trolet, et al.. Etude des effets du rayonnement gamma sur les transistors bipolaires à grille isolée en technologie punch-through. 13e édition du colloque Electronique de Puissance du Futur, 2010, Saint Nazaire, France. ⟨hal-01654264⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

COMUE-NORMANDIE UNICAEN LUSAC
22 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More