Etude des effets du rayonnement gamma sur les transistors bipolaires à grille isolée en technologie punch-through - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01654264 , version 1 (03-12-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01654264 , version 1

Citer

Boubekeur Tala-Ighil, Amrane Oukaour, B. Boudart, Hamid Gualous, Jean Lionel Trolet, et al.. Etude des effets du rayonnement gamma sur les transistors bipolaires à grille isolée en technologie punch-through. 13e édition du colloque Electronique de Puissance du Futur, 2010, Saint Nazaire, France. ⟨hal-01654264⟩
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