Evolution de caractéristiques statiques de HEMTs AlGaN/GaN soumis à un stress électrique réalisé à différentes températures - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2003

Evolution de caractéristiques statiques de HEMTs AlGaN/GaN soumis à un stress électrique réalisé à différentes températures

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01654259

Soumis le : dimanche 3 décembre 2017-15:52:09

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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Dates et versions

hal-01654259 , version 1 (03-12-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01654259 , version 1

Citer

B. Boudart, Jean-François Llibre, D. Briand, Boubekeur Tala-Ighil, H. Toutah, et al.. Evolution de caractéristiques statiques de HEMTs AlGaN/GaN soumis à un stress électrique réalisé à différentes températures. 13es Journées Nationales Microondes, 2003, Lille, France. ⟨hal-01654259⟩

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