Determination of AlGaN/GaN power transistor junction temperature for radar applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Determination of AlGaN/GaN power transistor junction temperature for radar applications

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01654235

Soumis le : dimanche 3 décembre 2017-15:31:02

Dernière modification le : lundi 4 avril 2022-10:38:02

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01654235 , version 1 (03-12-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01654235 , version 1

Citer

Guillaume Brocero, Jean Pierre Sipma, Philippe Eudeline, Yannick Guhel, B. Boudart. Determination of AlGaN/GaN power transistor junction temperature for radar applications. 21st International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications (MIKON), 2016, Cracovie, Poland. ⟨hal-01654235⟩

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