Examination of punch-through insulated gate bipolar transistors under high temperature gate bias and high temperature reverse bias stresses - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Examination of punch-through insulated gate bipolar transistors under high temperature gate bias and high temperature reverse bias stresses

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01651274

Soumis le : mardi 28 novembre 2017-19:15:15

Dernière modification le : mercredi 9 mars 2022-14:14:03

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Dates et versions

hal-01651274 , version 1 (28-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01651274 , version 1

Citer

C.O. Maïga, Boubekeur Tala-Ighil, H. Toutah, B. Boudart. Examination of punch-through insulated gate bipolar transistors under high temperature gate bias and high temperature reverse bias stresses. PCIM Europe 2005, 2005, Nuremberg, Germany. ⟨hal-01651274⟩

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