Raman characterization of Mg+ ion-implanted GaN - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2003

Raman characterization of Mg+ ion-implanted GaN

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Sciences de l'ingénieur [physics] Matériaux

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01649531

Soumis le : lundi 27 novembre 2017-15:32:40

Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:29:33

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Dates et versions

hal-01649531 , version 1 (27-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01649531 , version 1

Citer

B. Boudart, Yannick Guhel, J. C. Pesant, Paul Dhamelincourt, M.A. Poisson. Raman characterization of Mg+ ion-implanted GaN. 7th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors, 2003, Lille, France. ⟨hal-01649531⟩

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