Behaviour of the polysilicon TFT’s at different temperatures - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Behaviour of the polysilicon TFT’s at different temperatures

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01649503

Soumis le : lundi 27 novembre 2017-15:27:50

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:05

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Dates et versions

hal-01649503 , version 1 (27-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01649503 , version 1

Citer

Jean-François Llibre, H. Toutah, Boubekeur Tala-Ighil, B. Boudart, Mohammed-Brahim Tayeb, et al.. Behaviour of the polysilicon TFT’s at different temperatures. 7th International Conference on Polycrystalline Semiconductors, 2002, Nara, Japan. ⟨hal-01649503⟩

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