High linearity of double channel GaAs PHEMT using a very high selective wet etching - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1999
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01649420 , version 1 (27-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01649420 , version 1

Citer

X. Hue, B Boudart, Bertrand Bonte, Y. Crosnier. High linearity of double channel GaAs PHEMT using a very high selective wet etching. GAAS 99, 1999, Munich, Germany. ⟨hal-01649420⟩
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