Communication Dans Un Congrès
Année : 1999
Bertrand BOUDART : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01649420
Soumis le : lundi 27 novembre 2017-15:01:03
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01649420 , version 1
Citer
X. Hue, B Boudart, Bertrand Bonte, Y. Crosnier. High linearity of double channel GaAs PHEMT using a very high selective wet etching. GAAS 99, 1999, Munich, Germany. ⟨hal-01649420⟩
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