LT GaAs HFET: a novel concept to overcome the breakdown limitation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1997
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01648139 , version 1 (24-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01648139 , version 1

Citer

Didier Theron, Mohamed Zaknoune, B. Boudart, Jean-Claude de Jaeger, Georges Salmer, et al.. LT GaAs HFET: a novel concept to overcome the breakdown limitation. 23rd Symposium on compound semiconductors, 1996, St Petersburg, Russia. ⟨hal-01648139⟩
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