LT GaAs HFET: a novel concept to overcome the breakdown limitation - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 1997

LT GaAs HFET: a novel concept to overcome the breakdown limitation

Georges Salmer
  • Fonction : Auteur
M. Lipka
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M. Birk
  • Fonction : Auteur
H. Heinecke
  • Fonction : Auteur
B. Splingart
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1388562
  • IdRef : 128099984
Erhard Kohn
  • Fonction : Auteur
Hugues Thomas
  • Fonction : Auteur
D. V. Morgan
  • Fonction : Auteur
J. Schneider
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01648139 , version 1 (24-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01648139 , version 1

Citer

Didier Theron, Mohamed Zaknoune, B. Boudart, Jean-Claude de Jaeger, Georges Salmer, et al.. LT GaAs HFET: a novel concept to overcome the breakdown limitation. 23rd Symposium on compound semiconductors, 1996, St Petersburg, Russia. ⟨hal-01648139⟩
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