Low temperature grown GaAs lossy dielectric heterostructure FET - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1995
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01648127 , version 1 (24-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01648127 , version 1

Citer

M. Lipka, B. Splingart, R. Westphalen, Erhard Kohn, Didier Theron, et al.. Low temperature grown GaAs lossy dielectric heterostructure FET. Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits, 1995, Ithaca, United States. ⟨hal-01648127⟩
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