Total ionising dose effects on punch-through insulated gate bipolar transistors turn-on switching behaviour - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2011

Total ionising dose effects on punch-through insulated gate bipolar transistors turn-on switching behaviour

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01647883

Soumis le : vendredi 24 novembre 2017-16:17:09

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

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Dates et versions

hal-01647883 , version 1 (24-11-2017)

Identifiants

Citer

B. Tala-Ighil, A. Oukaour, H. Gualous, B. Boudart, B. Pouderoux, et al.. Total ionising dose effects on punch-through insulated gate bipolar transistors turn-on switching behaviour. Microelectronics Reliability, 2011, 51 (9-11), pp.2010 - 2014. ⟨10.1016/j.microrel.2011.06.049⟩. ⟨hal-01647883⟩

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