Total ionising dose effects on punch-through insulated gate bipolar transistors turn-on switching behaviour - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01647883 , version 1 (24-11-2017)

Identifiants

Citer

B. Tala-Ighil, A. Oukaour, H. Gualous, B. Boudart, B. Pouderoux, et al.. Total ionising dose effects on punch-through insulated gate bipolar transistors turn-on switching behaviour. Microelectronics Reliability, 2011, 51 (9-11), pp.2010 - 2014. ⟨10.1016/j.microrel.2011.06.049⟩. ⟨hal-01647883⟩
61 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More