Behavior of Polysilicon Thin-Film Transistors at Different Temperatures - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Solid State Phenomena Année : 2003

Behavior of Polysilicon Thin-Film Transistors at Different Temperatures

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01647854

Soumis le : vendredi 24 novembre 2017-16:00:11

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:05

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Dates et versions

hal-01647854 , version 1 (24-11-2017)

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Citer

Jean-François Llibre, H. Toutah, B. Tala-Ighil, B. Boudart, T. Mohammed-Brahim, et al.. Behavior of Polysilicon Thin-Film Transistors at Different Temperatures. Solid State Phenomena, 2003, 93, pp.67 - 72. ⟨10.4028/www.scientific.net/SSP.93.67⟩. ⟨hal-01647854⟩

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