State creation under gate-bias stress in polysilicon TFTs studied from the temperature-transfer characteristics behavior - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2003

State creation under gate-bias stress in polysilicon TFTs studied from the temperature-transfer characteristics behavior

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01647833

Soumis le : vendredi 24 novembre 2017-15:50:01

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:05

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Dates et versions

hal-01647833 , version 1 (24-11-2017)

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Citer

H. Toutah, Jean-François Llibre, B. Tala-Ighil, B. Boudart, T. Mohammed-Brahim. State creation under gate-bias stress in polysilicon TFTs studied from the temperature-transfer characteristics behavior. Thin Solid Films, 2003, 427 (1-2), pp.340 - 344. ⟨10.1016/S0040-6090(02)01209-9⟩. ⟨hal-01647833⟩

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