Article Dans Une Revue
Electronics Letters
Année : 1997
Bertrand BOUDART : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01647646
Soumis le : vendredi 24 novembre 2017-14:42:06
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
B. Boudart, Christophe Gaquière, Didier Theron. Gate current analysis of LT-GaAs passivated MESFETs. Electronics Letters, 1997, 33 (17), ⟨10.1049/el:19971002⟩. ⟨hal-01647646⟩
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