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Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 1997

Gate current analysis of LT-GaAs passivated MESFETs

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01647646 , version 1 (24-11-2017)

Identifiants

Citer

B. Boudart, Christophe Gaquière, Didier Theron. Gate current analysis of LT-GaAs passivated MESFETs. Electronics Letters, 1997, 33 (17), ⟨10.1049/el:19971002⟩. ⟨hal-01647646⟩
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