Trap effects studies in GaN MESFETs by pulsed measurements - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 1999
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01647642 , version 1 (24-11-2017)

Identifiants

Citer

S. Trassaert, B. Boudart, Christophe Gaquière, Didier Theron, Y. Crosnier, et al.. Trap effects studies in GaN MESFETs by pulsed measurements. Electronics Letters, 1999, 35 (16), ⟨10.1049/el:19990887⟩. ⟨hal-01647642⟩
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