Article Dans Une Revue
Electronics Letters
Année : 1999
Bertrand BOUDART : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01647642
Soumis le : vendredi 24 novembre 2017-14:39:16
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
S. Trassaert, B. Boudart, Christophe Gaquière, Didier Theron, Y. Crosnier, et al.. Trap effects studies in GaN MESFETs by pulsed measurements. Electronics Letters, 1999, 35 (16), ⟨10.1049/el:19990887⟩. ⟨hal-01647642⟩
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