Influence of Neutron Irradiation on Electron Traps Existing in GaN-Based Transistors - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nuclear Science Année : 2016

Influence of Neutron Irradiation on Electron Traps Existing in GaN-Based Transistors

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01647000

Soumis le : vendredi 24 novembre 2017-09:19:40

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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hal-01647000 , version 1 (24-11-2017)

Identifiants

Citer

Fanny Berthet, Sébastien Petitdidier, Yannick Guhel, Jean Lionel Trolet, Patrick Mary, et al.. Influence of Neutron Irradiation on Electron Traps Existing in GaN-Based Transistors. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2016, 63 (3), pp.1918 - 1926. ⟨10.1109/TNS.2016.2566683⟩. ⟨hal-01647000⟩

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