In situ Raman characterization of CeO2 thin films sputtered on (111) Si in order to optimize the post growth annealing parameters - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2014

In situ Raman characterization of CeO2 thin films sputtered on (111) Si in order to optimize the post growth annealing parameters

Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg
J. Bernard
  • Fonction : Auteur
B. Boudart
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Matériaux

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01646880

Soumis le : jeudi 23 novembre 2017-19:58:18

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hal-01646880 , version 1 (23-11-2017)

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Citer

Y. Guhel, J. Bernard, B. Boudart. In situ Raman characterization of CeO2 thin films sputtered on (111) Si in order to optimize the post growth annealing parameters. Microelectronic Engineering, 2014, 118, pp.29 - 34. ⟨10.1016/j.mee.2014.01.014⟩. ⟨hal-01646880⟩

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