Trench insulated gate bipolar transistors submitted to high temperature bias stress - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2005

Trench insulated gate bipolar transistors submitted to high temperature bias stress

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01646872

Soumis le : jeudi 23 novembre 2017-19:38:28

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

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Dates et versions

hal-01646872 , version 1 (23-11-2017)

Identifiants

Citer

C.O. Maïga, H. Toutah, B. Tala-Ighil, B. Boudart. Trench insulated gate bipolar transistors submitted to high temperature bias stress. Microelectronics Reliability, 2005, 45 (9-11), pp.1728 - 1731. ⟨10.1016/j.microrel.2005.07.098⟩. ⟨hal-01646872⟩

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