Article Dans Une Revue
Microelectronic Engineering
Année : 2010
Bertrand BOUDART : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01646869
Soumis le : jeudi 23 novembre 2017-19:33:16
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
Y. Guhel, B. Boudart, N. Vellas, Christophe Gaquière. Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low gamma radiation dose. Microelectronic Engineering, 2010, 87 (11), pp.2443 - 2447. ⟨10.1016/j.mee.2010.04.022⟩. ⟨hal-01646869⟩
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