Characterization of high-voltage IGBT module degradations under PWM power cycling test at high ambient temperature - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2010

Characterization of high-voltage IGBT module degradations under PWM power cycling test at high ambient temperature

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

Bertrand BOUDART  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01646842

Soumis le : jeudi 23 novembre 2017-18:50:08

Dernière modification le : mardi 12 mars 2024-14:56:03

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Dates et versions

hal-01646842 , version 1 (23-11-2017)

Identifiants

Citer

M. Tounsi, A. Oukaour, B. Tala-Ighil, H. Gualous, B. Boudart, et al.. Characterization of high-voltage IGBT module degradations under PWM power cycling test at high ambient temperature. Microelectronics Reliability, 2010, 50 (9-11), pp.1810 - 1814. ⟨10.1016/j.microrel.2010.07.059⟩. ⟨hal-01646842⟩

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