Analysis of degradation mechanisms in AlInN/GaN HEMTs by electroluminescence technique - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2017
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01646143 , version 1 (23-11-2017)

Identifiants

Citer

F. Berthet, S. Petitdidier, Y. Guhel, J.L. Trolet, P. Mary, et al.. Analysis of degradation mechanisms in AlInN/GaN HEMTs by electroluminescence technique. Solid-State Electronics, 2017, 127, pp.13 - 19. ⟨10.1016/j.sse.2016.10.039⟩. ⟨hal-01646143⟩
239 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More