Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2017
Bertrand BOUDART : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01646143
Soumis le : jeudi 23 novembre 2017-12:10:07
Dernière modification le : mercredi 20 mars 2024-16:20:04
Citer
F. Berthet, S. Petitdidier, Y. Guhel, J.L. Trolet, P. Mary, et al.. Analysis of degradation mechanisms in AlInN/GaN HEMTs by electroluminescence technique. Solid-State Electronics, 2017, 127, pp.13 - 19. ⟨10.1016/j.sse.2016.10.039⟩. ⟨hal-01646143⟩
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