Impact of gate-drain spacing engineering on DC and noise performance of SiN in-situ passivated InAlGaN/GaN HEMTs
Mehdi Rzin
(1)
,
Jean-Marc Routoure
(1)
,
Bruno Guillet
(1)
,
Laurence Méchin
(1)
,
Ezgi Dogmus
(2)
,
Malek Zegaoui
(2)
,
F Medjdoub
(2)
,
Cédric Lacam
(3)
,
Piero Gamarra
(3)
,
Hichem Ben-Ammar
(4)
,
Marie-Pierre Chauvat
(4)
,
Magali Noelle Valerie Morales
(4)
,
Pierre Ruterana
(4)
Jean-Marc Routoure
- Fonction : Auteur
- PersonId : 173734
- IdHAL : jean-marc-routoure
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Laurence Méchin
- Fonction : Auteur
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- IdHAL : laurence-mechin
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Malek Zegaoui
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1263357
- IdHAL : malek-zegaoui
F Medjdoub
- Fonction : Auteur
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- IdHAL : faridmedjdoub
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Marie-Pierre Chauvat
- Fonction : Auteur
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Magali Noelle Valerie Morales
- Fonction : Auteur
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- IdHAL : magali-morales
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Pierre Ruterana
- Fonction : Auteur
- PersonId : 856326
- IdHAL : pierre-ruterana
- ORCID : 0000-0001-7356-8850