Si/SiGe:C and InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications - Archive ouverte HAL
Journal Articles Proceedings of the IEEE Year : 2017

Si/SiGe:C and InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications

Pascal Chevalier
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CEDRIC. Traitement du signal et architectures électroniques
Michael Schroter
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Colombo R. Bolognesi
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Vincenzo d'Alessandro
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Maria Alexandrova
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Josef Bock
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Ralf Flickiger
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Sébastien Fregonese
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Bernd Heinemann
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C. Jungemann
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Rickard Lovblom
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Cristell Maneux
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Olivier Ostinelli
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Andreas Pawlak
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Niccolo Rinaldi
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Holger Rucker
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Gerald Wedel
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Thomas Zimmer
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Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

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Micro and nanotechnologies/Microelectronics

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Submitted on : Monday, November 20, 2017-3:12:06 PM

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hal-01639677 , version 1 (20-11-2017)

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Pascal Chevalier, Michael Schroter, Colombo R. Bolognesi, Vincenzo d'Alessandro, Maria Alexandrova, et al.. Si/SiGe:C and InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications. Proceedings of the IEEE, 2017, 105 (6), pp.1035 - 1050. ⟨10.1109/JPROC.2017.2669087⟩. ⟨hal-01639677⟩

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