Si/SiGe:C and InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Proceedings of the IEEE Année : 2017

Si/SiGe:C and InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications

Pascal Chevalier
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CEDRIC. Traitement du signal et architectures électroniques
Michael Schroter
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Colombo R. Bolognesi
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Vincenzo d'Alessandro
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Maria Alexandrova
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Josef Bock
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Ralf Flickiger
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Sébastien Fregonese
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Bernd Heinemann
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C. Jungemann
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Rickard Lovblom
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Cristell Maneux
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Olivier Ostinelli
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Andreas Pawlak
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Niccolo Rinaldi
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Holger Rucker
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Gerald Wedel
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Thomas Zimmer
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Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Soumis le : lundi 20 novembre 2017-15:12:06

Dernière modification le : vendredi 19 juillet 2024-11:38:05

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Citer

Pascal Chevalier, Michael Schroter, Colombo R. Bolognesi, Vincenzo d'Alessandro, Maria Alexandrova, et al.. Si/SiGe:C and InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications. Proceedings of the IEEE, 2017, 105 (6), pp.1035 - 1050. ⟨10.1109/JPROC.2017.2669087⟩. ⟨hal-01639677⟩

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