A Large-Signal Monolayer Graphene Field-Effect Transistor Compact Model for RF-Circuit Applications - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2017

A Large-Signal Monolayer Graphene Field-Effect Transistor Compact Model for RF-Circuit Applications

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

sebastien fregonese  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01639648

Soumis le : lundi 20 novembre 2017-15:01:54

Dernière modification le : mercredi 30 octobre 2024-19:43:10

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Dates et versions

hal-01639648 , version 1 (20-11-2017)

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Citer

Jorge-Daniel Aguirre-Morales, Sébastien Fregonese, Chhandak Mukherjee, Wei Wei, Henri Happy, et al.. A Large-Signal Monolayer Graphene Field-Effect Transistor Compact Model for RF-Circuit Applications. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64 (10), pp.4302 - 4309. ⟨10.1109/TED.2017.2736444⟩. ⟨hal-01639648⟩

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