Accurate Modeling of Thermal Resistance for On-Wafer SiGe HBTs Using Average Thermal Conductivity - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2017
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Dates et versions

hal-01639642 , version 1 (20-11-2017)

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Citer

Suresh Balanethiram, Anjan Chakravorty, Rosario d'Esposito, Sebastien Fregonese, Didier Céli, et al.. Accurate Modeling of Thermal Resistance for On-Wafer SiGe HBTs Using Average Thermal Conductivity. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64 (9), pp.3955 - 3960. ⟨10.1109/TED.2017.2724939⟩. ⟨hal-01639642⟩
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