Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2017
sebastien fregonese : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01639642
Soumis le : lundi 20 novembre 2017-15:00:30
Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-13:14:27
Citer
Suresh Balanethiram, Anjan Chakravorty, Rosario d'Esposito, Sebastien Fregonese, Didier Céli, et al.. Accurate Modeling of Thermal Resistance for On-Wafer SiGe HBTs Using Average Thermal Conductivity. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64 (9), pp.3955 - 3960. ⟨10.1109/TED.2017.2724939⟩. ⟨hal-01639642⟩
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