Ge doping of GaN beyond the Mott transition - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Physics D: Applied Physics Année : 2016

Ge doping of GaN beyond the Mott transition

A. Ajay
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
J Schörmann
  • Fonction : Auteur
M Jiménez-Rodriguez
  • Fonction : Auteur
C Lim
Nanophysique et Semiconducteurs
CV
F Walther
  • Fonction : Auteur
M Rohnke
  • Fonction : Auteur
M Mouton
  • Fonction : Auteur
L Amichi
  • Fonction : Auteur
Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée
C. Bougerol
Nanophysique et Semiconducteurs
M. den Hertog
Matériaux, Rayonnements, Structure
E Eickhoff
  • Fonction : Auteur
E. Monroy
Nanophysique et Semiconducteurs

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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https://hal.science/hal-01638851

Soumis le : lundi 20 novembre 2017-11:41:54

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:01:11

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Dates et versions

hal-01638851 , version 1 (20-11-2017)

Identifiants

Citer

A. Ajay, J Schörmann, M Jiménez-Rodriguez, C Lim, F Walther, et al.. Ge doping of GaN beyond the Mott transition. Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 49 (44), pp.445301. ⟨10.1088/0022-3727/49/44/445301⟩. ⟨hal-01638851⟩

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