Ge doping of GaN beyond the Mott transition - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Physics D: Applied Physics Année : 2016

Dates et versions

hal-01638851 , version 1 (20-11-2017)

Identifiants

Citer

A. Ajay, J Schörmann, M Jiménez-Rodriguez, C Lim, F Walther, et al.. Ge doping of GaN beyond the Mott transition. Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 49 (44), pp.445301. ⟨10.1088/0022-3727/49/44/445301⟩. ⟨hal-01638851⟩
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