Modeling dose effects in electronics devices: Dose and temperature dependence of power MOSFET - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2013

Modeling dose effects in electronics devices: Dose and temperature dependence of power MOSFET

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01634672 , version 1 (14-11-2017)

Identifiants

Citer

A. Michez, J. Boch, S. Dhombres, F. Saigné, Antoine Touboul, et al.. Modeling dose effects in electronics devices: Dose and temperature dependence of power MOSFET. Microelectronics Reliability, 2013, 53 (9-11), pp.1306 - 1310. ⟨10.1016/j.microrel.2013.07.022⟩. ⟨hal-01634672⟩
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