Post-Irradiation-Gate-Stress on Power MOSFETs: Quantification of Latent Defects-Induced Reliability Degradation
A. Privat
(1)
,
Antoine Touboul
(2, 3)
,
A. Michez
(2)
,
S. Bourdarie
(4)
,
J.-R. Vaillé
(2, 3)
,
Frédéric Wrobel
(2, 3)
,
R. Arinero
(2, 3)
,
N. Chatry
(5)
,
G. Chaumont
(6)
,
E. Lorfèvre
(7)
,
F. Saigné
(2, 3)
Antoine Touboul
- Fonction : Auteur
- PersonId : 20946
- IdHAL : antoinetouboul
- ORCID : 0000-0002-2714-849X
- IdRef : 074257323
J.-R. Vaillé
- Fonction : Auteur
- PersonId : 19297
- IdHAL : jean-roch-vaille
- ORCID : 0000-0003-1367-0225
- IdRef : 079304702
Frédéric Wrobel
- Fonction : Auteur
- PersonId : 11044
- IdHAL : frederic-wrobel
- ORCID : 0000-0002-2437-1223
- IdRef : 069697027
R. Arinero
- Fonction : Auteur
- PersonId : 19300
- IdHAL : richard-arinero
- ORCID : 0000-0002-2578-2606
- IdRef : 079363083
E. Lorfèvre
- Fonction : Auteur
- PersonId : 6087
- IdHAL : matthieu-kretzschmar
- ORCID : 0000-0001-5796-6138
- IdRef : 070177910
F. Saigné
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- PersonId : 19534
- IdHAL : frederic-saigne
- IdRef : 110480821