Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Nuclear Science
Année : 2012
Dauverchain Eric : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01633505
Soumis le : lundi 13 novembre 2017-10:08:35
Dernière modification le : mardi 23 janvier 2024-12:28:53
Citer
M. Naceur, Antoine Touboul, J.-R. Vaillé, E. Lorfèvre, F. Bezerra, et al.. Effect of Ion Energy on Power MOSFET's Oxide Reliability. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2012, 59 (4), pp.786 - 791. ⟨10.1109/TNS.2012.2192751⟩. ⟨hal-01633505⟩
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