Effect of Ion Energy on Power MOSFET's Oxide Reliability - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nuclear Science Année : 2012
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Dates et versions

hal-01633505 , version 1 (13-11-2017)

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Citer

M. Naceur, Antoine Touboul, J.-R. Vaillé, E. Lorfèvre, F. Bezerra, et al.. Effect of Ion Energy on Power MOSFET's Oxide Reliability. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2012, 59 (4), pp.786 - 791. ⟨10.1109/TNS.2012.2192751⟩. ⟨hal-01633505⟩
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