A tunneling model for gate oxide failure in deep sub-micron technology - Archive ouverte HAL
Ouvrages Année : 2004

A tunneling model for gate oxide failure in deep sub-micron technology

Résumé

no abstract

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Sandrine Bernardini  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01633147

Soumis le : samedi 11 novembre 2017-15:50:56

Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01633147 , version 1 (11-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01633147 , version 1

Citer

S. Bernardini, Jean-Michel Portal, P. Masson. A tunneling model for gate oxide failure in deep sub-micron technology. pp.1404-1405, 2004, Design, Automation and Test in Europe Conference and Exhibition, Vols 1 and 2, Proceedings, 0-7695-2085-5. ⟨hal-01633147⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UNIV-TLN CNRS UNIV-AMU
51 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More