Analytical model of the effects of a nonuniform distribution of stored charge on the electrical characteristics of discrete-trap nonvolatile memories - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nanotechnology Année : 2005

Analytical model of the effects of a nonuniform distribution of stored charge on the electrical characteristics of discrete-trap nonvolatile memories

L. Perniola
  • Fonction : Auteur
S. Bernardini
University of Manchester Institute of Science and Technology
CV
G. Iannaconne
  • Fonction : Auteur
P. Masson
  • Fonction : Auteur
B. de Salvo
  • Fonction : Auteur
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
CV
C. Gerardi
  • Fonction : Auteur

Résumé

no abstract

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Sandrine Bernardini  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01633144

Soumis le : samedi 11 novembre 2017-15:50:53

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:58:28

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Dates et versions

hal-01633144 , version 1 (11-11-2017)

Identifiants

Citer

L. Perniola, S. Bernardini, G. Iannaconne, P. Masson, B. de Salvo, et al.. Analytical model of the effects of a nonuniform distribution of stored charge on the electrical characteristics of discrete-trap nonvolatile memories. IEEE Transactions on Nanotechnology, 2005, 4 (3), pp.360-368. ⟨10.1109/tnano.2005.847033⟩. ⟨hal-01633144⟩

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