Reliability nano-characterization of thin SiO2 and HfSixOy/SiO2 gate stacks
Résumé
no abstract
Article Dans Une Revue
Microelectronic Engineering
Année : 2007
Sandrine Bernardini : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01633141
Soumis le : samedi 11 novembre 2017-15:50:49
Dernière modification le : mardi 23 juillet 2019-11:16:04
Citer
E. Efthymiou, S. Bernardini, S. N. Volkos, B. Hamilton, J. F. Zhang, et al.. Reliability nano-characterization of thin SiO2 and HfSixOy/SiO2 gate stacks. Microelectronic Engineering, 2007, 84 (9-10), pp.2290-2293. ⟨10.1016/j.mee.2007.04.060⟩. ⟨hal-01633141⟩
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