Reliability degradation of thin HfO(2)/SiO(2) gate stacks by remote RF hydrogen and deuterium plasma treatment - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2008

Reliability degradation of thin HfO(2)/SiO(2) gate stacks by remote RF hydrogen and deuterium plasma treatment

E. Efthymiou
  • Fonction : Auteur
S. Bernardini
University of Manchester Institute of Science and Technology
CV
J. F. Zhang
  • Fonction : Auteur
S. N. Volkos
  • Fonction : Auteur
B. Hamilton
  • Fonction : Auteur
A. R. Peaker
  • Fonction : Auteur

Résumé

no abstract

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Sandrine Bernardini  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01633140

Soumis le : samedi 11 novembre 2017-15:50:48

Dernière modification le : mercredi 6 novembre 2019-18:26:11

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Dates et versions

hal-01633140 , version 1 (11-11-2017)

Identifiants

Citer

E. Efthymiou, S. Bernardini, J. F. Zhang, S. N. Volkos, B. Hamilton, et al.. Reliability degradation of thin HfO(2)/SiO(2) gate stacks by remote RF hydrogen and deuterium plasma treatment. Thin Solid Films, 2008, 517 (1), pp.207-208. ⟨10.1016/j.tsf.2008.08.051⟩. ⟨hal-01633140⟩

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