Electrically active defects induced by hydrogen and helium implantations in Ge - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2008

Electrically active defects induced by hydrogen and helium implantations in Ge

V. P. Markevich
  • Fonction : Auteur
I. D. Hawkins
  • Fonction : Auteur
A. R. Peaker
  • Fonction : Auteur
V. Kolkovsky
  • Fonction : Auteur
A. N. Larsen
  • Fonction : Auteur
L. Dobaczewski
  • Fonction : Auteur

Résumé

no abstract

Dates et versions

hal-01633137 , version 1 (11-11-2017)

Identifiants

Citer

V. P. Markevich, S. Bernardini, I. D. Hawkins, A. R. Peaker, V. Kolkovsky, et al.. Electrically active defects induced by hydrogen and helium implantations in Ge. Materials Science in Semiconductor Processing, 2008, 11 (5-6), pp.354-359. ⟨10.1016/j.mssp.2008.09.007⟩. ⟨hal-01633137⟩
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