Electrically active defects induced by hydrogen and helium implantations in Ge - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2008

Electrically active defects induced by hydrogen and helium implantations in Ge

V. P. Markevich
  • Fonction : Auteur
S. Bernardini
University of Manchester Institute of Science and Technology
CV
I. D. Hawkins
  • Fonction : Auteur
A. R. Peaker
  • Fonction : Auteur
V. Kolkovsky
  • Fonction : Auteur
A. N. Larsen
  • Fonction : Auteur
L. Dobaczewski
  • Fonction : Auteur

Résumé

no abstract

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-01633137

Soumis le : samedi 11 novembre 2017-15:50:44

Dernière modification le : jeudi 24 août 2023-15:42:36

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Dates et versions

hal-01633137 , version 1 (11-11-2017)

Identifiants

Citer

V. P. Markevich, S. Bernardini, I. D. Hawkins, A. R. Peaker, V. Kolkovsky, et al.. Electrically active defects induced by hydrogen and helium implantations in Ge. Materials Science in Semiconductor Processing, 2008, 11 (5-6), pp.354-359. ⟨10.1016/j.mssp.2008.09.007⟩. ⟨hal-01633137⟩

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