Characterization of GaP/Si heterojunctions by space charge capacitance measurements - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Characterization of GaP/Si heterojunctions by space charge capacitance measurements

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01632942

Soumis le : vendredi 10 novembre 2017-17:46:40

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01632942 , version 1 (10-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01632942 , version 1

Citer

Artem I. Baranov, Alexander S. Gudovskikh, I.A. Morozov, A. Mozharov, Ekaterina V. Nikitina, et al.. Characterization of GaP/Si heterojunctions by space charge capacitance measurements. E-MRS 2017 Spring Meeting, May 2017, Strasbourg, France. ⟨hal-01632942⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UPMC CNRS CENTRALESUPELEC GEEPS PHEMADIC UNIV-PARIS-SACLAY SORBONNE-UNIVERSITE SU-SCIENCES GS-ENGINEERING GS-PHYSIQUE INSTITUT-SCIENCES-LUMIERE
96 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More