Effects of p-doping on the thermal sensitivity of individual Si nanowires - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2008

Effects of p-doping on the thermal sensitivity of individual Si nanowires

A. Brioude
Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
D. Cornu
Institut Européen des membranes
P. Miele
Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
C. Mouchet
  • Fonction : Auteur
Etablissement Français du Sang Centre-Atlantique
J.-P Simonato
  • Fonction : Auteur
E. Rouvière
  • Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Matériaux Chimie inorganique Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux

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https://hal.science/hal-01597222

Soumis le : jeudi 28 septembre 2017-11:17:25

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54

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Dates et versions

hal-01597222 , version 1 (28-09-2017)

Identifiants

Citer

A. Brioude, D. Cornu, P. Miele, C. Mouchet, J.-P Simonato, et al.. Effects of p-doping on the thermal sensitivity of individual Si nanowires. Applied Physics Letters, 2008, 93 (19), ⟨10.1063/1.2968134⟩. ⟨hal-01597222⟩

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