Etude par microscopie à effet tunnel de la croissance épitaxiale de GaP sur substrats Si(001) nominaux et vicinaux pour l’optoélectronique - Archive ouverte HAL
Poster De Conférence Année : 2016

Etude par microscopie à effet tunnel de la croissance épitaxiale de GaP sur substrats Si(001) nominaux et vicinaux pour l’optoélectronique

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Matériaux

Charles Cornet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01497147

Soumis le : mardi 28 mars 2017-13:12:21

Dernière modification le : lundi 16 septembre 2024-17:52:04

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Dates et versions

hal-01497147 , version 1 (28-03-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01497147 , version 1

Citer

Simon Charbonnier, Ida Lucci, S. Gangopadhyay, Yanping Wang, Tony Rohel, et al.. Etude par microscopie à effet tunnel de la croissance épitaxiale de GaP sur substrats Si(001) nominaux et vicinaux pour l’optoélectronique. Réunion plénière du GDR Pulse (PULSE 2016), Jul 2016, Marseille, France. ⟨hal-01497147⟩

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