3D GaP/Si(001) growth mode and antiphase boundaries
Ida Lucci
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Simon Charbonnier
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Yanping Wang
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M. Bahri
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Maxime Vallet
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Tony Rohel
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Rozenn Bernard
(1)
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Antoine Létoublon
(1)
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L. Largeau
(3)
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G. Patriarche
(3)
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Anne Ponchet
(4)
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Olivier Durand
(1)
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Laurent Pedesseau
(1)
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S. Gangopadhyay
(5)
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Pascal Turban
(2)
,
Charles Cornet
(1)
Simon Charbonnier
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Yanping Wang
- Fonction : Auteur
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M. Bahri
- Fonction : Auteur
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Maxime Vallet
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Rozenn Bernard
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Antoine Létoublon
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L. Largeau
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G. Patriarche
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Anne Ponchet
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Olivier Durand
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Laurent Pedesseau
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Charles Cornet
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Résumé
In this work, we investigate the relationship between the surface roughness and antiphase domains in GaP layers grown by MBE on a vicinal Si (001) substrate. The main role of the starting Si surface before III‐V overgrowth is first discussed. Structural properties of antiphase domains (APDs) are investigated at the atomic scale by Scanning Tunneling Microscopy (STM) and Transmission Electron Microscopy (TEM). The correlation between the 3D growth mode and the emerging antiphase boundaries (APBs) is discussed in terms of surface/interface energy, supported by DFT calculations.