Monolithic integration of epitaxial BaTiO3 on Si and SiGe for ferroelectric devices - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Monolithic integration of epitaxial BaTiO3 on Si and SiGe for ferroelectric devices

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01490296 , version 1 (15-03-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01490296 , version 1

Citer

Lucie Mazet, Romain Bachelet, Guillaume Saint-Girons, David Albertini, Brice Gautier, et al.. Monolithic integration of epitaxial BaTiO3 on Si and SiGe for ferroelectric devices. AVS 61st International Symposium, 2014, Baltimore, USA, United States. ⟨hal-01490296⟩
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