Epitaxial growth of BaTiO3 on semiconductor substrates by molecular beam epitaxy for ferroelectric devices - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Epitaxial growth of BaTiO3 on semiconductor substrates by molecular beam epitaxy for ferroelectric devices

Claude Botella
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 918205
J. Jordan-Sweet
  • Fonction : Auteur
I. Lauer
  • Fonction : Auteur
V. Narayanan
  • Fonction : Auteur
David Albertini
Brice Gautier
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01489916 , version 1 (14-03-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01489916 , version 1

Citer

Lucie Mazet, Romain Bachelet, Lamis Louahadj, Claude Botella, M. Frank, et al.. Epitaxial growth of BaTiO3 on semiconductor substrates by molecular beam epitaxy for ferroelectric devices. EMRS 2014 Fall meeting, Sep 2014, Warsaw, Poland. ⟨hal-01489916⟩
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